hrvatski

Promjene efikasnosti sakupljanja naboja u Si-detektorima čestica koji su izloženi fokusiranim ionskim snopovima

Metoda mjerenja induciranog naboja kojeg proizvode pojedinačni ioni (IBIC)kori-je za proučavanje efikasnosti sakupljanja naboja (CCE) prilikom detekcije nabi-čestica pomoću Si PIN fotodioda ozračenih fokusiranim snopovima H, He, Li, O i Cl iona. Energija (0.4 MeV/u) iona je takva da je doseg unutar područja osiro- mašenja fotodiode. Integrirani tok iona kreće su u rasponu 1E8 – 1E12 cm-2, a apsorbirana doza Dd za oštećenje pomakom u Si je u rasponu 1E10 – 1E13 MeV/g. Ozračavanjem nastale promjene CCE proučavane su u skladu s NIEL teorijom [1] koja previđa smanjenje induciranog naboja linearno s Dd. Iako NIEL hipoteza prilično dobro objašnjava detekciju H i He iona, izračunate različite vrije- dnosti faktora ekvivalentnog oštećenja K[2] koje su po prvi put zabilježene, proizlaze iz različitosti dubinskih raspodjela primarnih defekata (vakancija i intersticija) koje proizvode ioni-projektili i/ili efikasnosti stvaranja stabilnih defekata iz primarnih defekata. Teži ioni (O i Cl) proizvode više električki aktivnih defekata od lakih iona (H, He) za jednake Dd. Izmjerene CCE vrijednosti koje odgovaraju detekciji različitih iona bitno ovise o dubinskoj raspodjeli kočenja ionizacijom (LET) čestice koja se detektira. Detekcija težih iona kratkog dosega u tvari (čiji LET doprinos je najveći u blizu površine) je vrlo osjetljiva na lokalizirano oštećenje koje proizvode ioni na dubini koja odgovara njihovom dosegu u unutrašnjosti poluvodiča.

Si čestični detektor; IBIC; oštećenje izazvano ionskim snopom; efikasnost sakupljanja naboja

nije evidentirano