hrvatski

Strukturna svojstva poluvodičkih nanočestica

Istraživanje poluvodičkih nanočestica interesantno je iz temeljnih fizičkih razloga kao i zbog velikih mogućnosti primjene nanočestičnih materijala. Svojstva takvih materijala uvelike su određena veličinom, oblikom i prostornim rasporedom nanočestica u podlozi u kojoj su nanočestice pripremljene, te unutrašnjom strukturom i sastavom samih nanočestica te prisutnosti defekata u njihovoj kristalnoj strukturi. Stoga je vrlo važno poznavanje metode priprave nanočestičnih materijala željenih svojstava kao i dobro poznavanje tehnika za preciznu karakterizaciju pripremljenih materijala. U predavanju namjeravam izložiti novo-otkrivene metode priprave nanočestičnih materijala sa samoorganiziranim Ge nanočesticama u amorfnoj SiO2 podlozi, i metode karakterizacije dobivenih materijala bazirane na X-zračenju. Metode priprave uključuju formaciju prostorno uređenih Ge nanočestica posredstvom ozračivanja Ge+SiO2 višeslojeva kisikovim ionima i posredstvom djelovanja mehanizma morfologije površine tijekom depozicije rasprašenjem u magnetronskom izvoru čestica. Metode karakterizacije uključuju analizu GISAXS (Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering) spektara i difrakcijskih spektara izmjerenih na nanočestičnim materijalima.

Poluvodiči; nanočestice

nije evidentirano